光刻与薄膜覆盖
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 FSM可爲半导体与微积电业者,提供各种晶圆片测试图案服务,我们可提供化学机械抛光,刻,清洁,医疗与设备(或元件)制造等领域的标准测试图案。除了标准测试图案, FSM也接受依照使用者需求设计的客制晶圆图案,并可提供工程用电脑辅助绘图,以及光罩制作。材质:硅,玻璃。晶圆片直径: 50毫米至300毫米。光刻设备:扫描机,步进机,近场/接触曝光机,电子束。线宽: 65奈米, 90奈米, 130奈米, 180奈米, 250奈米或更大。光阻: 193奈米, 248奈米(DUV), I-Line蚀刻:湿蚀刻,离子束蚀刻,深离子束蚀刻。化学机械抛光: W, Cu, Al,氧化硅, TEOS量测:电子显微镜,截面,电性测试等。测试用光罩:TSV晶圆片化学机械抛光沟槽凹蚀与侵蚀表面沟渠绝缘Damascene波纹与双波纹线/间距阵列连结阵列雏菊花环记忆模式测试电性用结构特殊产品:贵金属: Au, Pd, Ag, Pt
厚光阻穿透氧化硅层钻孔铜FSM提供具有深100微米与直径为50微米钻孔的TSV晶圆片。我们的穿透氧化硅钻孔TSV,从晶圆的中心点到凹槽边缘,都具有非常好的表面平整度。所有穿透氧化硅层钻孔都是在200毫米的晶圆上,以10到100微米的钻孔图案蚀刻而成的。我们在TEOS上先电镀上10,000埃的电镀铜板,再放上2微米的铜种子层,以及1000埃的钛衬里。
 在镀上铜之前的硅钻孔                                                                铜处理后


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