浮区 (FZ)硅常被用来做离散功率半导体组件, 高效太阳能, RF芯片, 以及光学产品。 浮区硅的高纯质可取代碳浓度与氧纯度极低的直拉法制成的硅。浮区硅的高纯度硅, 适用于低掺杂物浓度的制程, 有时会产生高达50000欧姆-厘米的电阻值。
FSM提供浮区硅晶圆片, 直径从50毫米至200毫米, 也有本征晶圆片。 下列范例为FSM标准浮区硅晶圆片的规格:
以下是FSM标准产品之范例:
硅晶圆片
直径:150毫米
种类/ 掺杂物: N或P
方向: <100>
电阻质: 1000-3000欧姆-厘米
厚度: 675+/-25微米
平整度: 1/SEMI标准
厚度变化: <10微米
正面: 抛光
背面: 蚀刻或抛光
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